在半导体行业中，提及的“28nm工艺”究竟指的是什么？其实，这一术语早期直接与芯片中晶体管栅极的长度挂钩，即源极与漏极间的距离。随着技术进步，厂商们致力于缩短这一长度以提升工艺水平。
回溯至1994年前，300nm以上的工艺节点，芯片工艺与栅极长度基本吻合。然而，自300nm向下发展至28nm左右，栅极长度开始小于工艺节点的数值，这是持续优化的结果。但到了28nm节点，栅极长度的缩减遇到了瓶颈，之后的工艺节点数值再次大于实际的栅极长度。
面对这一挑战，芯片制造商引入了“等效工艺”的概念。即使制造工艺本身没有显著变革，只要通过工艺或结构上的改进实现了性能提升、功耗降低等，也被视为工艺的进步。特别是在14nm以下的工艺节点，等效工艺的作用愈发显著，不同厂商之间的工艺节点已难以直接对应比较。
例如，三星声称的5nm工艺，在英特尔看来可能还不如其10nm工艺，而台积电则认为三星的5nm工艺不及自己的7nm。这一现象在晶体管密度这一指标上体现得尤为明显，从10nm节点开始，不同厂商的相同工艺节点所对应的晶体管密度存在显著差异。
面对这种趋势，英特尔也不得不调整其工艺命名策略，将10nm改为intel7，7nm改为intel4，以适应这种等效工艺的评估方式，避免显得落后于竞争对手。
这意味着，在7nm以下的工艺节点，具体的数字（如5nm、3nm或2nm）变得不再那么关键。只要技术有所创新，带来了性能提升、功耗降低或晶体管密度的增加，就可以被视为工艺的升级。
对于中国芯片产业而言，这一趋势带来了机遇。即便在没有极紫外光刻（EUV）技术的情况下，难以直接突破7nm以下的工艺节点，但通过等效工艺的策略，即便采用7nm工艺，也可以通过晶体管结构的优化实现性能提升和晶体管密度的增加，从而达到甚至超越更先进工艺的效果。
因此，评估芯片工艺时，不应仅关注数字上的纳米级别，更应深入理解其背后的技术创新和实际性能的提升。
