天岳先进推出业界首款12英寸N型碳化硅衬底，助力清洁能源产业飞跃

在半导体材料领域，一项重大创新近日由国内领先的碳化硅单晶衬底材料制造商天岳先进宣布。该公司在Semicon Europe 2024展览会上，于德国慕尼黑展示了业界首款300mm N型碳化硅衬底。

天岳先进指出，随着全球范围内新能源汽车、光伏储能、5G通讯以及高压智能电网等行业的蓬勃发展，对能够承受高功率、高电压及高频率工作环境的碳化硅基器件的需求呈现出爆炸式增长。这一趋势对碳化硅材料的质量和产量提出了更高的要求。

此次发布的300mm碳化硅衬底，意味着在单片晶圆上可用于芯片制造的面积将显著扩大，从而极大地提升了合格芯片的产量。在相同的生产条件下，这种大尺寸衬底不仅能够提高生产效率，还能有效降低单位成本，为碳化硅材料的广泛应用奠定了坚实基础。

天岳先进自2010年成立以来，一直致力于碳化硅和氮化镓材料的研发与生产。其产品涵盖了4H导电型碳化硅单晶衬底和4H半绝缘型碳化硅单晶衬底，前者用于碳化硅外延层生长，后者则用于氮化镓外延层生长。目前，天岳先进已经能够提供6英寸和8英寸的导电型衬底，以及4英寸和6英寸的半绝缘型衬底。

此次300mm N型碳化硅衬底的发布，标志着天岳先进在碳化硅材料领域取得了重大突破，不仅满足了市场对高性能碳化硅基器件的迫切需求，也为未来的半导体材料发展开辟了新的道路。