镓仁半导体突破！全球首颗8英寸第四代半导体氧化镓单晶问世

杭州镓仁半导体公司在半导体领域取得了重大突破，昨日正式推出了全球首颗基于第四代半导体材料的8英寸氧化镓单晶。这一成就标志着镓仁半导体已成为全球首个掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

据悉，镓仁半导体在氧化镓单晶的研发上持续深耕，从2022年至2024年，依次成功生长出2英寸、4英寸和6英寸的氧化镓单晶。此次推出的8英寸单晶，不仅在晶圆面积利用率上有了显著提升，更重要的是，它与现有的硅基晶圆厂的8英寸生产线完全兼容。这一兼容性无疑将大大加速氧化镓材料在产业化应用上的步伐。

氧化镓，特别是β-Ga2O3，作为一种新兴的第四代半导体材料，其禁带宽度达到了4.85eV，远超碳化硅和氮化镓。氧化镓还具备出色的热和化学稳定性，以及极高的击穿电场强度，这些特性使得它在半导体材料中独树一帜。

基于氧化镓的功率器件能够展现出极小的电阻和卓越的转换效率，这对于提升新能源汽车的平台电压至1200V具有重要意义。同时，氧化镓材料在紫外波段的表现同样令人瞩目，其紫外截止边达到260nm，且紫外波段的透过率受载流子浓度的影响较小，这为制造深紫外波段的光电器件提供了理想的选择。