合肥露笑半导体材料有限公司近日在宽禁带半导体材料领域取得重大突破，其8英寸导电型碳化硅衬底的研发与产业化进程迈入国际领先行列。这一成果不仅提升了我国在新能源汽车、光伏发电、储能系统等关键产业的核心竞争力，更为保障供应链安全提供了重要支撑。
据技术团队介绍，公司通过自主研发的晶体生长设备与全流程工艺体系，成功攻克了8英寸导电型碳化硅晶体生长的核心技术难题。实验数据显示，所产晶体结晶质量优异，晶型稳定性达到行业顶尖水平，衬底产品的微管密度、表面粗糙度、位错密度及电阻率分布均匀性等关键指标均优于国际主流标准。其中，位错密度控制技术尤为突出，表面质量完全满足高端客户对高性能碳化硅功率器件的制造需求。
该突破的核心价值在于实现了技术自主可控。从晶体生长参数的精准调控到衬底加工的全产业链闭环，露笑科技构建了完全自主的知识产权体系。这种垂直整合模式不仅缩短了产品开发周期，更通过工艺优化显著提升了生产效率与产品一致性。
在产业化布局方面，公司已启动合肥基地的产能扩张计划。一期项目已实现稳定量产，为市场供应提供了基础保障；二期工程将重点建设8英寸专用生产线，预计投产后可满足新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、智能电网等领域快速增长的市场需求。据测算，项目全面达产后将形成年产数十万片的生产能力。
为保持技术领先优势，研发团队正同步推进两项战略布局：一方面通过工艺迭代持续提升8英寸衬底的良品率与成本竞争力，另一方面启动更大尺寸碳化硅衬底的预研工作。在市场拓展层面，公司已与多家国内外头部功率器件制造商建立战略合作，加速完成产品验证与批量导入，推动国产碳化硅材料在高端应用领域的规模化替代。
公司负责人表示，将始终以"突破关键技术、服务国家战略"为使命，通过持续创新构建碳化硅材料的技术壁垒，助力我国半导体产业链实现从跟跑到领跑的跨越式发展。目前，相关技术成果已申请多项国家发明专利，并参与制定多项行业标准。
