三星电子今日宣布，已成功研发出其首款24Gb GDDR7 DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器），旨在广泛应用于数据中心、AI工作站等高性能存储领域。与前代产品相比，这款DRAM在保持相同封装尺寸的同时，通过采用第五代10纳米级制程技术，实现了50%的单元密度提升。
24Gb GDDR7 DRAM还引入了脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度达到了图形DRAM中的40Gbps，较前代产品提高了25%。三星指出，依据不同的使用环境，GDDR7的性能甚至可以提升至最高42.5Gbps。
此次研发的一大亮点在于，三星将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM中，通过“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等创新方法，有效降低了不必要的功耗，实现了超过30%的能效提升。同时，24Gb GDDR7还采用了电源门控设计，最大限度地减少了电流泄漏，确保了高速运行时的稳定性。
据悉，这款24Gb GDDR7 DRAM将在下一代AI计算系统中进行验证，并计划于明年年初实现商业化。
