随着内存技术的不断进步，业界领先的半导体制造商正积极探索下一代高带宽内存（HBM）的革新方案。近日，据韩国科技新闻网站ETNews披露，三星电子、SK海力士及美光科技均对在即将推出的HBM4内存中采用新型的无助焊剂键合技术展现出了浓厚兴趣，并已着手进行相关技术储备。
据了解，HBM内存技术自问世以来，就以其超高的数据传输速度和能效比受到了业界的广泛关注。随着技术迭代至HBM4阶段，16层堆叠结构将成为主流，这要求制造商必须进一步压缩内存层间的间隙，以确保整体堆栈高度不超出规定的775微米限制。
在这一技术挑战面前，传统的有凸块键合技术虽仍占据主导地位，但无凸块的混合键合技术也在不断发展中。然而，目前该技术尚未成熟，难以立即应用于大规模生产。因此，三大内存制造商开始将目光转向了无助焊剂键合技术。
助焊剂在现有的HBM键合工艺中扮演着重要角色，它能够有效清除DRAM芯片表面的氧化层，从而确保键合过程中的机械和电气连接不受干扰。然而，助焊剂残留物也会增加芯片间的间隙，进而影响整体堆栈的高度。
针对这一问题，美光科技表现得尤为积极，已与多家合作伙伴共同测试无助焊剂键合工艺的可行性。SK海力士也在考虑引入该技术，而三星电子同样对此保持高度关注。这三大内存制造商的准备程度虽有所不同，但无疑都认识到了无助焊剂键合技术在未来HBM4内存生产中的潜在价值。
