台积电正稳步迈向2nm工艺制程的新纪元，预计明年将迎来这一技术突破。公司高层近期已揭开2nm芯片的神秘面纱，透露将采用GAAFET晶体管技术，彻底告别FFET时代，实现晶体管密度15%的显著提升。
这一技术飞跃意味着，在相同功耗条件下，2nm芯片的性能将跃升15%；反之，若性能保持不变，功耗则能降低25%至35%。如此幅度的提升，在芯片制造领域堪称巨大，尤其是在先进制程不断推进、性能提升与功耗降低日益艰难的背景下，这一成就尤为显著。
然而，台积电董事长魏家哲强调，对于2nm芯片而言，工艺仅仅是基础，封装技术同样至关重要。他解释道，随着制程进入2nm时代，封装技术成为提升芯片性能、降低功耗的关键。先进芯片更多地采用堆叠、立体封装及小芯粒等技术，将多个关键芯片整合在一起，而非分散布局。
以台积电的CoWos封装技术为例，该技术利用硅衬底作为中介层，将处理器、内存等功能模块集成于单一封装体内，实现高密度的系统集成，是当前AI芯片领域的核心技术之一。英伟达的高端AI芯片便广泛采用此技术。
随着芯片工艺的不断演进，未来芯片将更加倾向于整合而非分散，因此先进封装技术的重要性日益凸显。在此背景下，有人提出疑问：中国在芯片制造领域或许尚存短板，但在封装领域却颇具实力，这是否意味着中国迎来了新的机遇？
数据显示，全球前十大封测企业中，中国有四家企业上榜，市场份额高达25%左右，占据全球四分之一的份额。然而，值得注意的是，中国封装企业虽在市场份额上占据一席之地，但主要集中在相对成熟的封装技术上，对于CoWos等先进封装技术，仍存在一定差距。
