纳微半导体近日宣布与英伟达达成重要合作，正式加入MGX生态系统，共同推动800伏直流人工智能基础设施的快速发展。这一合作标志着纳微半导体在AI电力领域的技术实力获得国际科技巨头的认可，也为下一代数据中心建设提供了关键技术支撑。
MGX架构作为英伟达面向新一代AI工厂设计的标准化模块化解决方案，覆盖了从算力到散热的全链条技术标准。纳微半导体通过此次合作，将为其提供从Rubin Ultra平台到"Kyber"机架级系统的完整供电方案，重点解决高密度计算场景下的电力传输效率问题。双方合作的首个成果——800V至6V直流-直流电源分配板（PDB）已在COMPUTEX 2026展会上亮相，该产品专为英伟达新一代AI数据中心架构设计，实现了电力传输技术的重大突破。
这款创新电源板采用16颗自主研发的GaNFast氮化镓芯片，创造性地取消了传统48V中间总线转换模块，直接实现800V到6V的降压转换。测试数据显示，其峰值供电效率达到97.5%，功率密度高达2100W/立方英寸，板体厚度比智能手机还要薄20%。这种紧凑设计使其能够紧贴GPU部署，显著减少布线损耗和机房空间占用，为数据中心建设带来革命性改变。
在技术实现层面，纳微半导体的解决方案直击行业痛点。800V直流架构可降低线缆铜耗和配电成本，其氮化镓与碳化硅的复合技术方案则解决了多GPU集群瞬时功耗波动大、供电损耗偏高等问题。据测算，该技术可使数据中心配电综合能耗降低15%以上，特别适用于吉瓦级AI算力园区的规模化部署需求。公司首席执行官Chris Allexandre强调，随着AI计算负载持续扩大，电力传输已成为构建下一代超大规模数据中心的核心挑战。
作为第三代功率半导体的领军企业，纳微半导体正加速向高功率应用领域转型。其GaNFast技术通过消除中间转换环节，将目标效率提升至97.5%的同时，实现了2100W/in³的超高功率密度。在碳化硅领域，公司开发的GeneSiC解决方案支持从电网到机架的高效电力传输，包含采用2300V和3300V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代1200V SiC MOSFET的三相电源供应单元。这些技术突破使纳微半导体在AI电力革命中占据有利地位。
资本市场对这次合作反应积极。消息公布后，纳微半导体股价单日涨幅达19.26%，创下上市以来新高，过去一年累计涨幅超过300%，目前市值已达72.08亿美元。公司此前公布的2026财年第一季度财报显示，当期营收达到860万美元，超出市场预期。随着AI计算对电力需求呈现百倍增长，纳微半导体正从消费电子市场向数据中心、能源电网等高增长领域拓展，其技术路线有望重塑全球电力传输格局。
