近期，三星电子在半导体工艺领域的最新进展引发了业界的广泛关注。据悉，三星在2纳米（SF2）工艺的测试生产中取得了令人瞩目的成绩，初步良品率超过了先前的预期，达到了30%的水平。这一成果为三星计划在2025年第四季度正式量产2纳米工艺，并应用于Exynos 2600的大规模生产奠定了坚实基础。
根据TECHPOWERUP的最新报道，三星2纳米工艺开发团队在实验性生产阶段取得了关键性突破。与之前的3纳米工艺相比，2纳米工艺在良品率方面的表现有了显著提升，目前已经攀升至40%以上。这一进步不仅彰显了三星在半导体工艺研发方面的实力，也为Exynos 2600的顺利量产增添了更多可能性。
然而，尽管三星在2纳米工艺上取得了显著进展，但与竞争对手台积电相比，其良品率仍有待提高。据悉，台积电在去年12月试产2纳米工艺时，良品率就已超过了60%，并传闻现已提升至70%至80%的水平，已接近量产标准。这一对比无疑给三星带来了不小的压力。
值得注意的是，三星2纳米工艺SF2集成了第三代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，相较于3纳米工艺SF3，在性能上提升了12%，功率效率提高了25%，同时芯片面积减少了5%。这些技术优势使得三星在半导体工艺领域保持了一定的竞争力。
三星还计划在2纳米制程节点上引入“BSPDN（背面供电网络）”技术。该技术通过将电源轨置于晶圆的背面，旨在消除电源线和信号线之间的瓶颈，解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题。这一创新技术的引入有望进一步提升2纳米工艺的性能和能效，并缩小芯片面积，为三星在半导体工艺领域的未来发展注入新的活力。
