英特尔新任首席执行官陈立武，在近期于美国加州圣何塞举办的Intel Foundry Direct Connect 2025活动上，向业界展示了公司在晶圆代工领域的最新进展。他透露，公司已经与未来14A工艺节点（相当于1.4纳米）的主要客户展开了接触，这一节点是18A节点的后续版本。
陈立武表示，目前已有几个客户计划生产14A测试芯片，这些芯片将采用英特尔增强的背面电源传输技术——PowerDirect。若一切顺利，14A节点将成为首个应用High-NA EUV光刻技术的生产节点，而台积电的A14竞争节点预计要到2028年才能面世，且不会采用High-NA技术。
陈立武还透露，公司的关键18A节点已进入风险生产阶段，预计将于今年晚些时候开始量产。同时，英特尔的18A-P（18A节点的性能版本）也已在晶圆厂中运行，并成功投产早期晶圆。
英特尔还宣布正在开发新的18A-PT版本，这个版本支持Foveros Direct 3D技术，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的节点上实现晶圆的垂直堆叠。这一技术的发展对英特尔来说至关重要，因为它提供了一种与台积电已在生产中使用的功能相匹配的能力，例如AMD的3D V-Cache产品。
在成熟节点方面，英特尔的晶圆厂已经成功量产了首个16纳米晶圆，并且正在与联电合作开发12纳米节点。根据英特尔的官方路线图，18A-P将在2026年推出，而18A-PT则要等到2028年。14A节点将在2027年面世，并还将推出14A-E工艺。
为了满足先进封装的需求，英特尔代工服务提供了系统级集成，利用Intel 14A和Intel 18A-P制程节点，通过Foveros Direct（3D堆叠）和EMIB（2.5D桥接）技术实现连接。英特尔还将为客户提供新的先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的EMIB-T，以及在Foveros 3D先进封装技术方面的Foveros-R和Foveros-B，为客户提供更高效灵活的选择。
在制造方面，英特尔亚利桑那州的Fab 52晶圆厂已经成功实现了“全流程运行”，标志着该设施已经加工了第一块晶圆。而英特尔18A的大规模生产将在俄勒冈州的工厂开始，亚利桑那州的制造规模也将在今年晚些时候扩大。
