在半导体行业中，芯片按照生产工艺被普遍划分为两大类：成熟芯片与先进芯片。界定标准在于制造工艺的尺寸，28纳米及以上工艺制造的芯片，无论其具体尺寸如何，均被归类为成熟芯片。这一范畴不仅涵盖了逻辑芯片，也包括了存储芯片等多种类型。而低于28纳米的工艺，则被视为先进芯片领域。
尽管诸如台积电等企业已将工艺推进至3纳米，并即将迈入2纳米时代，成熟工艺的重要性依旧不容忽视。据统计，全球超过75%的芯片仍采用成熟工艺制造。实际上，真正需要先进工艺的芯片仅限于CPU、GPU及SoC等高端产品，而大多数传感器、驱动芯片及MCU等常用组件，成熟工艺已足够满足需求。
近年来，中国在半导体领域的进步显著，尤其是在先进工艺上不断取得突破。然而，值得注意的是，中国的主要芯片产能扩张仍聚焦于成熟芯片。企业如晶合集成、华虹等，受限于技术水平，主要专注于成熟芯片的生产。中芯国际虽然具备先进芯片制造技术，但受限于设备供应，扩产同样以成熟芯片为主。
这一系列举措促使中国成熟芯片产能大幅提升。据美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2023年，中国在全球成熟芯片产能中的占比达到了33%，而到了2024年，这一比例已攀升至35%以上。回望2015年，这一数字仅为19%，意味着过去八年间，中国成熟芯片产能几乎翻倍。
与此相对，其他国家及地区的成熟芯片产能占比却呈现下滑趋势。从2015年至2023年，日本的占比从19%降至15%，欧洲从15%降至14%，美国则从14%降至12%。在这一背景下，中国的增长尤为突出。
SIA的分析报告进一步指出，中国晶圆的价格相比全球主要竞争对手低了约10%。这一竞争优势预计将使中国在成熟芯片领域的产能和市场份额持续扩大。未来三到五年内，中国有望成为全球成熟芯片制造的中心，占比或高达50%。
这一趋势引发了对于美国芯片供应安全的担忧。美国同样需要大量成熟芯片，然而其本土产能却严重不足，难以与中国厂商竞争。随着中国在成熟芯片领域的持续扩张，美国对外部供应链的依赖程度或将进一步加深。
