内存芯片制造商美光科技近日宣布，已成功向部分生态合作伙伴及客户交付了基于1γ（1-gamma）技术的16Gbit DDR5 DRAM芯片。这一创新标志着美光在DRAM工艺技术领域迈出了重要一步。
据美光介绍，1γ节点是DRAM工艺技术的第六代革新，其最小几何尺寸介于19nm至10nm之间。随着DRAM制造商逐步迈入10nm级别，传统的纳米尺度衡量方式已被1x、1y、1z以及最新的1α、1β、1γ所取代。美光自豪地宣称，自己是业界首个采用1γ节点的公司。
美光此前在1α和1β节点的领先地位为此次1γ节点的突破奠定了坚实基础。1γ节点的成功应用，预计将推动云端计算、工业自动化、消费电子乃至端侧AI设备（诸如AI个人电脑、智能手机和智能汽车）等前沿计算平台的创新发展。同时，通过在全球范围内的制造基地部署1γ节点技术，美光不仅能为行业提供更尖端的技术支持，还能显著增强供应链的韧性。
美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM芯片在性能上实现了显著提升，速度高达9200MT/s，与前代采用1β技术的同类产品相比，速度提升了15%，功耗则降低了20%以上。这一成就得益于1γ节点中EUV（极紫外光刻）技术的运用，它不仅使晶圆容量密度提高了30%，还促进了经济效益的提升。
值得注意的是，与1β节点不同，1γ节点的制造过程中引入了极紫外光刻技术，这种技术利用极短波长在硅晶圆上精准刻画出更细微的特征。该内存芯片还融入了下一代高K金属栅极CMOS技术，这一技术不仅提升了晶体管性能，还实现了速率提升、设计优化以及特征尺寸缩小，从而带来了功耗降低和性能扩展的双重效益。
美光执行副总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示：“凭借我们在专有DRAM技术开发方面的专长，以及对EUV光刻技术的战略部署，美光成功打造了基于1γ节点的先进内存产品组合，这将有力推动AI生态系统的发展。1γ DRAM节点的实现，不仅彰显了美光卓越的制造实力和效率，还使我们能够大规模扩大内存供应，以满足行业日益增长的需求。”
美光计划在其整个DRAM产品线中引入1γ技术，这涵盖了用于数据中心的DDR5、针对边缘AI应用的低功耗DRAM、专为AI个人电脑设计的DDR5 SODIMM，以及适用于移动设备和汽车的LPDDR5X。美光透露，客户AMD和英特尔已经开始验证1γ DRAM在其服务器和消费级处理器中的应用效果。
