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银河微电2025年研发投入增长10.10% 高端领域突破助力业绩提升

2026-04-24来源:快讯编辑:瑞雪

银河微电(688689)近日发布的2025年年度报告显示,公司在半导体领域的创新投入持续加码,全年研发投入达0.62亿元,较上年增长10.10%,占营业收入比重提升至5.88%。过去五年间,公司研发投入复合增长率保持在5.37%,为技术突破提供了坚实支撑。

研发团队规模与质量同步提升成为亮点。报告期内,公司研发人员数量增至213人,同比增长13.90%,占总员工比例达15.85%。尽管人均薪酬从16.15万元微降至15.71万元,但公司通过股权激励等多元化方式保持人才稳定性,研发薪酬总额(含股份支付)达3346.11万元。

在高端技术领域,银河微电取得多项突破性进展。6英寸平面高速开关芯片实现规模化量产,车用碳化硅(SiC)功率器件研发进入关键验证阶段,无刷直流电机(BLDC)驱动芯片已获得首批订单。知识产权布局方面,公司全年新增专利申请61项,获得授权28项,覆盖芯片设计、封装工艺等核心技术环节。

财务数据显示,公司经营质量稳步提升。2025年实现营业收入10.50亿元,同比增长15.46%;净利润方面,归母净利润达0.80亿元,增长11.17%,扣非后净利润增速更快,达27.30%至0.61亿元。不过,经营活动现金流净额同比下降34.73%至0.44亿元,主要受原材料采购周期延长影响。公司拟向股东每10股派发现金红利2.5元(含税)。

作为半导体分立器件领域的高新技术企业,银河微电产品矩阵持续完善,涵盖车规器件、MOS器件、保护器件及第三代半导体产品等品类,下游应用场景覆盖汽车电子、智能家居、新能源储能等战略性新兴产业。报告期内,公司在车规级器件领域的研发投入占比超过40%,为业绩增长注入新动能。

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