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2024-10-23
三星研制成功1c nm良品晶粒，HBM4内存迎新突破！
10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒，公司内部对此给予积…
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