国光光刻机逼近浸润式DUV，这一步有多远？

在芯片制造设备领域，光刻机无疑占据着举足轻重的地位，其重要性无可匹敌，同时也是中国面临的最大技术瓶颈。

全球光刻机市场仅由四家厂商主导，其中ASML更是垄断了高端市场，尤其是EUV和浸润式DUV光刻机，几乎完全由ASML说了算。

光刻机的技术不断演进，并与芯片制造工艺紧密相连。从最初的G线到如今的EUV，光刻机已经历了六代的变革。

每一代光刻机都对应着不同的芯片制造工艺，例如EUV光刻机被用于7nm以下的芯片制造，而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。

那么，国产光刻机目前达到了什么水平呢？上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机，采用193nm波长的光源，属于干式DUV光刻机。

近期，又有一台国产光刻机亮相，其分辨率为65nm，套刻精度为8nm，同样是一台ArF干式DUV光刻机。

尽管国产光刻机仍落后ASML十多年，但已接近浸润式DUV光刻机的门槛。ArF光刻机最高能支持到65nm工艺，而这台国产光刻机的分辨率正是65nm，已接近其技术极限。

浸润式DUV与干式DUV的主要区别在于，浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水，使光线在水中折射，从而提高了分辨率。

因此，国产65nm光刻机已是干式DUV的极限，也是进入浸润式DUV之前的最后一步。只要攻克浸润式系统，国产光刻机就能迈入浸润式阶段。

一旦国产光刻机进入浸润式阶段，将有望实现7nm芯片的全部自给，大大降低对外依赖。届时，无论是ASML还是美国，想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。

因为浸润式光刻机若发挥到极致，不仅可用于7nm芯片制造，甚至5nm也有可能实现。