在半导体工艺迈向22纳米及以下技术节点之际，套刻误差的测量成为关键挑战。特别是在多重图形技术的推动下，对工艺层间套刻精度的要求愈发严格。基于衍射原理的DBO测量技术，凭借其优越的性能，已成为该领域的主流选择。
为了应对这一挑战，东方晶源推出了基于计算光刻平台的DBO套刻标记仿真优化产品——PanOVL。该产品利用先进的PanGen OPC和PanGen Sim引擎，结合GPU+CPU混算及分布式计算框架，实现了大规模套刻标记的高效仿真与优化。
PanOVL能够识别具有较大工艺窗口的套刻标记，提供满足良好信噪比且抗工艺扰动能力强的方案。同时，它还能仿真曝光过程像差对套刻标记的影响，使套刻测量结果更贴近实际器件情况。
东方晶源的PanOVL产品不仅丰富了其计算光刻平台的产品线，还加强了与产业链上下游的合作，为客户提供更全面的服务，助力提升晶圆制造能力。
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