江波龙自研存储芯片新突破：32Gbit 2D MLC NAND Flash完成流片验证

近期，江波龙公司在投资者关系活动中透露了其存储芯片研发的新进展。据悉，该公司已成功完成了首颗32Gbit 2D MLC NAND Flash芯片的流片验证，标志着在自研小容量存储芯片领域取得了重要突破。

江波龙在存储芯片设计方面不断深耕，特别是在小容量存储芯片领域，已经具备了SLC NAND Flash等产品的设计能力。据透露，其自研的SLC NAND Flash存储芯片业务已实质性构建，并且产品的累计出货量已超过1亿颗。这一成绩不仅彰显了江波龙在存储芯片设计领域的实力，也为其后续发展奠定了坚实基础。

在谈到未来规划时，江波龙表示将以SLC NAND Flash为起点，逐步积累存储芯片设计能力和芯片工艺实现经验。在此基础上，公司将渐进式地拓展MLC NAND Flash的设计能力，而首颗32Gbit 2D MLC NAND Flash芯片的流片验证成功，正是这一规划的重要里程碑。未来，江波龙将在合适的时间发布该芯片的样品，进一步推动其在存储芯片领域的创新发展。

江波龙在LPDDR5产品的研发方面也取得了显著成果。据透露，该公司的LPDDR5产品已经实现量产，并陆续向市场批量交付。同时，针对更高速率的LPDDR5X产品，江波龙也已经进行了相关的研发投入准备，为后续LPDDR5X产品的量产出货做好了充分准备。

在车规级市场方面，江波龙同样表现出色。目前，该公司已经服务了超过20家中外头部汽车品牌客户，覆盖了包括DVR、ADAS、座舱、IVI、仪表和T-box等在内的10余种车载应用。凭借超过8年的量产服务经验，江波龙在车规级存储芯片市场占据了重要地位。