英特尔IEDM2024展示新技术：钌互连降电容，封装速度百倍提升

英特尔在2024年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2024）上展示了其在代工技术领域的多项创新突破，为半导体行业的发展注入了新的活力。

会上，英特尔重点介绍了其在新材料应用方面的进展，特别是减成法钌互连技术。这项技术的实施，使得线间电容得以显著降低，最高降幅达到25%，从而有效提升了芯片内部互连的性能。

除了新材料技术，英特尔还展示了一种名为选择性层转移（SLT）的异构集成解决方案，该方案在先进封装领域具有显著优势。SLT技术能够大幅提升封装过程的吞吐量，最高可达100倍，为实现超快速的芯片间组装提供了新的可能。

在晶体管微缩技术方面，英特尔同样取得了显著进展。公司展示了硅基RibbionFET CMOS技术，以及针对2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层模块。这些技术的突破，将进一步推动全环绕栅极（GAA）技术的微缩，从而提升设备的整体性能。

在IEDM 2024上，英特尔还分享了其对未来先进封装和晶体管微缩技术的愿景。为了满足包括人工智能（AI）在内的各类应用需求，英特尔强调了三个关键点：先进内存集成、混合键合优化互连带宽以及模块化系统及其连接解决方案。这些技术将共同推动AI在未来十年朝着更高能效的方向发展。

其中，先进内存集成旨在消除容量、带宽和延迟的瓶颈，为AI应用提供更加高效的数据处理能力。混合键合技术则通过优化互连带宽，进一步提升了系统的整体性能。而模块化系统及其连接解决方案，则为构建更加灵活、可扩展的系统架构提供了新的思路。