三星新版1b nm DRAM：能否破解良率与性能双重难题？

近期，据韩国媒体ETNews报道，三星电子针对其12nm级别DRAM内存产品遇到的良率及性能挑战，已经制定了应对策略。报道透露，三星在2024年末决定在优化当前1b nm工艺的基础上，重新设计一款全新的1b nm DRAM。

这款新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P（P代表Prime），其重点在于提升能效和散热性能。值得注意的是，这一命名逻辑与三星之前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P保持一致。

三星电子此前曾宣布，在2022年12月和2023年5月，其12nm级别的DDR5 DRAM已经完成了开发与批量生产。然而，这一代工艺并未能在LPDDR5x等关键领域取得预期的成功。甚至因此，三星的设备解决方案（DS）部门失去了为移动体验（MX）部门的Galaxy S25系列手机初期供应内存的首要地位。

在决定启动D1B-P项目时，三星电子的12nm级别DRAM工艺的良率仅为60%左右，远低于业界普遍认为的大规模量产所需的80%至90%的良率水平。

为了应对这一挑战，三星在2024年底紧急订购了D1B-P项目所需的设备。据预计，这一新版制程有望在2025年内实现量产，而最早的产品推出时间可能会在今年第二季度至第三季度之间。