万次弯折不失效！西电研发柔性硅纳米膜突触晶体管助力可穿戴设备

西安电子科技大学与北京大学深圳研究院香港中文大学（深圳）的研究团队携手，在高级材料科学领域取得了突破性进展。他们的研究成果——超柔性高线性硅纳米膜突触晶体管阵列，已在国际权威期刊《Advanced Materials》上发表。

这项研究由西安电子科技大学集成电路学部的刘琛副教授领衔，并与张敏教授领导的北京大学深圳研究院香港中文大学（深圳）团队紧密合作完成。该论文不仅展示了团队在柔性电子领域的深厚积累，更为可穿戴神经形态电子设备的发展开辟了新路径。

据悉，这种创新的柔性硅纳米膜突触晶体管，在耐用性方面表现出色。经过上万次曲率半径仅为2.2毫米的弯折循环测试后，其电学性能依然稳定如初。这一特性使得该器件成为运动健康监测设备以及各类智能穿戴配件的理想选择。

更为引人注目的是，该晶体管通过精确调控栅极脉冲电压和宽度，能够模拟生物神经网络的学习与记忆过程，实现像神经元一样的精准突触后电流控制。这一发现为人工智能硬件的实用化进程注入了新的活力。

研究团队还发现，硅纳米膜突触晶体管在长时程特性中展现出卓越的线性度，这一特性在手写数字识别应用中得到了验证，识别准确率高达93.2%。这一成果预示着该器件在多个领域具有广泛的应用潜力。

超柔性硅纳米膜突触晶体管不仅为下一代可穿戴设备提供了全新的器件选项，同时也展示了团队在柔性电子与神经形态计算交叉领域的深厚研究实力。这一研究成果的发表，无疑将为相关领域的研究和发展带来深远的影响。