在半导体行业的盛会SEMICON China 2025上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）隆重揭晓了其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备——Primo Halona。这款设备的推出，标志着中微公司在高端半导体设备领域迈出了坚实的一步。
Primo Halona以其独特的双反应台设计成为全场焦点。据中微公司介绍，该设备能够灵活配置多达三个双反应台的反应腔，每个反应腔均能同时处理两片晶圆。这一设计在降低生产成本的同时，有效满足了晶圆边缘刻蚀的量产需求，大幅提升了生产效率。
Primo Halona在设备稳定性与耐久性方面也表现出色。其腔体内部采用了抗腐蚀材料设计，能够抵御卤素气体的侵蚀。同时，设备腔体均配备了精准的Quadra-arm机械臂，确保了晶圆处理的灵活性和准确性。
Primo Halona还配备了独特的自对准安装设计方案。这一方案不仅提高了上下极板的对中精度和平行度，还有效减少了因校准安装带来的停机维护时间，从而帮助客户优化产能，实现精益生产。
在智能化方面，Primo Halona同样表现出色。该设备提供了可选装的集成量测模块，客户可以通过该模块实现本地实时膜厚量测，一键式完成晶圆传送的补偿校准。这一功能不仅提升了产品的维护性，还大大提高了后期维护效率。
除了Primo Halona之外，中微公司在ICP双反应台刻蚀机方面也取得了新的突破。通过不断提升反应台之间气体控制的精度，中微公司的Primo Twin-Star刻蚀机已经实现了0.2A（亚埃级）的刻蚀精度。这一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上均得到了验证。
据了解，0.2A的刻蚀精度相当于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。这一突破不仅展示了中微公司在半导体刻蚀技术方面的领先地位，也为未来半导体工艺的发展奠定了坚实基础。
