三星DRAM制程升级，多款1y nm DDR4内存条将告别市场

近期，台湾《电子时报》披露了一则关于三星电子内存制造策略转变的重要消息。据悉，三星正积极推进DRAM内存制程工艺的战略升级，这一举措将直接影响到采用旧版1y nm（即第二代10nm级别）工艺的DDR4内存模组的生产。

根据供应链企业的反馈，他们已收到多款8GB及16GB容量的DDR4 SODIMM/UDIMM内存条的停产通知。这些产品的最后订购日期定于今年6月上旬，而最后一批货物的交付则安排在2025年12月10日。

报道进一步指出，三星电子正加速其传统DRAM内存生产线的转型步伐，目标是转向DDR5、HBM等更先进的内存产品。这一转型策略意味着与旧制程紧密相连的DDR3和DDR4内存将逐步退出历史舞台。

事实上，三星电子的内存制造策略调整早已显现端倪。据悉，该公司已在2024年第二季度停止生产DDR3内存。与此同时，1y nm DDR4的产能占比也在迅速缩减，预计从今年年中开始，这一占比将从去年的约20%下降到不足一成。更令人瞩目的是，下一代1z nm DDR4的生产预计也将在2027年画上句号。