三星DRAM制程升级，1y nm DDR4内存条年底将停产？

近期，台湾媒体《电子时报》披露了一则关于三星电子内存产品策略调整的重要消息。据称，随着三星电子在DRAM内存制程工艺上的战略性升级，多款依赖老旧1y nm（即第二代10nm级别）工艺的DDR4内存条即将告别市场。

多家供应链企业已接到产品EOL（生命周期结束）通知，表明这些采用1y nm工艺制造的8GB或16GB容量的DDR4 SODIMM/UDIMM内存条，其最后订购期限被设定为今年6月上旬，而最终出货时间则定于2025年12月10日。

报道进一步指出，三星电子正加速推进其DRAM内存生产线的更新换代，重点转向DDR5、HBM等新型号产品。这一转变意味着，与老旧制程紧密相连的DDR3、DDR4产品正逐步退出历史舞台。

值得注意的是，三星电子已于2024年第二季度停止生产DDR3产品。与此同时，1y nm DDR4的产能占比也在迅速下降，预计从去年的约20%缩减至今年下半年的不足一成。而更先进的1z nm DDR4产品，其停产时间也被提前规划至2027年。

这一系列举措不仅反映了三星电子在内存技术上的持续创新，也预示着整个内存市场将迎来新一轮的迭代与升级。对于消费者和行业观察者而言，这无疑是一个值得密切关注的动态。