全球存储芯片市场近期迎来新一轮价格波动，DRAM与NAND两大主流产品价格同步攀升，但后续走势呈现分化态势。据行业监测数据显示，2月份通用型DRAM产品均价突破13美元关口，创下2016年6月以来的历史峰值，而NAND闪存价格单月涨幅超过33%，延续了长达14个月的上涨周期。
DRAM市场在经历连续11个月的上涨后，价格涨幅出现明显放缓迹象。以PC端主流产品DDR4 8Gb为例，其2月平均固定交易价较上月上涨13.04%至13美元，但行业分析机构TrendForce指出，今年第一季度该品类价格环比涨幅达110%-115%，远超去年第四季度38%-43%的增速。市场供需双方已就当前价位达成平衡，主要供应商与PC制造商在2月完成季度价格谈判后，预计3月价格将维持现有水平。
NAND闪存市场则延续强劲上涨势头。用于存储卡和USB设备的128Gb MLC产品2月均价跃升至12.67美元，较上月暴涨33.91%。供应链调整成为主要推手，随着厂商将产能向高密度3D NAND产品倾斜，传统SLC和MLC工艺产品的供应缺口持续扩大。这种结构性短缺预计将支撑NAND价格在下半年保持对卖方有利的态势。
驱动本轮存储芯片涨价的核心因素，在于人工智能技术爆发引发的产业格局重构。全球主要芯片制造商纷纷将资源向高附加值领域集中，导致通用型存储产品产能受限。这种战略调整在DRAM市场已显现成效，价格涨势趋于平缓；而NAND市场因技术迭代周期较长，供应紧张局面短期内难以缓解，为价格持续上行提供支撑。
