IEEE ISSCC国际固态电路会议即将于2025年2月16日至20日在美国加利福尼亚州的旧金山盛大召开，会议日程已在ISSCC官网上公布。此次盛会吸引了全球科技界的目光，众多行业巨头及领军人物将齐聚一堂，共同探讨固态电路技术的最新进展。
在会议的首日之后，即2月17日，全体会议将迎来四位重量级嘉宾的演讲。其中，英特尔的首席执行官帕特·基辛格将分享AI领域从底层到应用层的一系列技术创新，而三星电子存储业务部门的负责人李祯培则将聚焦AI存储器的现状与发展趋势，为与会者带来深刻的洞见。
随着会议的深入，2月19日将举行SRAM、非易失性存储与DRAM等多个专题的研讨。在SRAM专题中，台积电将展示其采用2nm Nanosheet制程的SRAM，存储密度高达38.1 Mb/mm²，展现了台积电在先进制程技术上的卓越实力。而英特尔也不甘示弱，将介绍采用BSPDN背面供电设计的Intel 18A RibbonFET工艺高密度SRAM，进一步推动了SRAM技术的发展。
在非易失性存储与DRAM领域，三星电子将带来一项重大突破——28Gb/mm²密度的4XX层堆叠1Tb容量3D TLC NAND。这款闪存采用了晶圆键合技术，I/O引脚速率高达5.6Gb/s，预计为第10代V-NAND。同时，铠侠-西部数据联盟也将展示其I/O引脚速率为4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND，读取操作能效提升了29%。
在GDDR7方面，三星电子同样展现出了强大的研发实力，将介绍一款速率高达42.5Gbps的24Gb产品。三星电子还将展出第5代10nm级（1bnm、12nm级）工艺的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O引脚速率达12.7Gb/s，再次刷新了DRAM的性能记录。
SK海力士也不甘落后，将带来321层（V9）2Tb QLC NAND，编程吞吐量高达75MB/s。这款闪存堆叠数量和单元结构曾在FMS 2024展会上亮相，此次再次亮相ISSCC，进一步证明了其在非易失性存储领域的领先地位。SK海力士还将与铠侠共同介绍双方合作开发的新型64Gb DDR4 STT-MRAM，该存储器件结合了交叉点存储和磁隧道节结构，为存储技术的发展开辟了新的道路。
